キヤノン EOS Kiss M EF-M15-45 IS STM レンズキット ホワイト
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SDカード関連アクセサリー各種フィルター
<セットレンズ>
・キヤノン EF-M15-45mm F3.5-6.3 IS STM (35mm換算 24-72mm / フィルター径 49mm)
<レンズフード別売(EW-53)、レンズケース別売(LP811)>

【製品特徴】
■新開発の映像エンジンDIGIC 8の高速画像処理により、CMOSセンサーの各画素が撮像と位相差AFの両方を兼ねる「デュアルピクセルCMOS AF」が進化
■被写体の瞳を検出してピントを合わせる新機能「瞳AF」を搭載。シビアなフォーカスが求められるポートレート撮影に好適
■新映像エンジンDIGIC 8とAPS-Cサイズ・約2410万画素のCMOSセンサーを搭載し、高画質な写真や映像表現を手軽に楽しむことが可能
■「オートライティングオプティマイザ」の性能が向上。写真の中で輝度の高い部分に優先的に階調を配分し、白トビの回避や明るい領域の豊かな階調表現を実現
■フルHDの約4倍の解像度となる4K(24p】25p)の高精細な動画撮影が可能
■バリアングル液晶モニターを搭載。タッチ操作にも対応しており、ライブビュー撮影や動画撮影における操作性や撮影アングルの自由度など高い実用性を確保
■自分好みの撮影設定が簡単にできる撮影モード「クリエイティブアシスト」が進化
■視野率約100%の高精細EVFを内蔵。キヤノン独自のレンズと約236万ドットの有機ELパネルを採用することで、周辺部まで高い解像感を確保
■静止画撮影時は「デュアルセンシングIS」により、対応レンズ装着時に光学手ブレ補正効果がシャッター速度換算で約0.5段分向上
■Wi-Fi】NFC】Bluetooth対応により携帯端末とのネットワーク連携を強化
【製品仕様】
●有効画素数:約2410万画素
●記録メディア:SD/SDHC/SDXCメモリーカード
●液晶モニター:3.0型 約104万ドット(可動 タッチパネル対応)
●連続撮影速度:最高約10コマ/秒
●動画記録サイズ:4K(3840×2160)、フルハイビジョン(1920×1080)他
●シャッタースピード:1/4000〜30秒、バルブ
●ISO感度:ISO100-25600(拡張 ISO51200)
●スマホ接続:Wi-Fi、NFC、Bluetooth
●質量:約390g(バッテリー、メモリー含む)
●電池:バッテリーパック LP-E12(付属)
●撮影可能枚数目安:約235枚(CIPA規格準拠)

【付属品】
バッテリーパックLP-E12、バッテリーチャージャーLC-E12、ネックストラップEM-200DB、レンズキャップ E-49、カメラカバー R-F-4

※詳しくはメーカーサイトをご確認下さい。

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◆ 回 転 移 相 式 渦 流 探 傷 に 関 す る 説 明
回 転 移 相 式 渦 流 探 傷
渦流試験の原理
#descriptionキヤノン EOS Kiss M EF-M15-45 IS STM レンズキット ホワイト:カメラのキタムラ - e2718
回転移相の原理

回 転 移 相 の 効 果
keywords#

2019-10-28
カテゴリトップ>ミラーレス一眼>キヤノン
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2.#description
図 3 図 4

図3は一般的に使用されているホイストンブリッジの渦電流式欠陥検出用ブリッジ回路です。
出力条件  平衡時(出力ゼロ)  L1:R2=L2:R1
欠陥検出出力時  |L1-L2| になります。
図4は、図3の検出部(コイル)を示したもので、貫通型の欠陥検出を示します。上記図3及び図4の様に接続することによって欠陥出力が可能です。
検出される出力は、交流電源(AC)を使用しているため電流変化と位相変化が現れます。又、検出部にコイルを使用しているために変化量はインピーダンスの変化によって、変化した電流変化値と位相変化値となって現れます。
図 5 図 6

図5は、貫通型検出コイル中に非磁性金属片Cを挿入して時の図であり、検出コイルに一定交流電源を接続して交流を流した時に発生するベクトル図を図6に示します。
検出コイルは、一般にRとL(インダクタンス)との合成で成り立っています。
図5の金属片Cの良部BをL o中におかれているとき図6のZ1でθ1の位相角度になりあます。又、金属片Cを移動し、L o中に疵部Aをおいた時、図6のZ2でθ2に変化します。
この時、良部と疵部の位相変化量は、
|θ2-θ1|=θ3となり条件(金属材質、寸法、コイルインピーダンスR・ωL、交流周波数)を変えない限りこの値は一定となります。
従って、一般的な渦流探傷方法では、一定条件での欠陥検出の位相角変化は理論上不可能です。
今回、開発した渦流探傷器は、上記一定条件において、疵の位相角度を任意に可変出来る装置です。
(国際特許)
(欠陥検出装置のベクトル表示)
図 7

3.回転移相の原理
流探傷器は、従来の渦流探傷器で使用されているコイルインピーダンスのベクトル変化量(図7左図の位相変化量θ3)での検出のみでなく、検出コイル内での磁束の変化も検出し、制御コイルによりコイル内部の磁束が一定となるように磁束を制御しています。
検出コイル内に金属材料が挿入されますと、コイル内のガタ信号(ノイズ信号)によりコイルインピーダンスは変化します。
この時、金属表面に疵が発生していますとコイルインピーダンスのベクトル量と、磁束の変化量も変わり制御コイルからの信号と検出コイルからの信号により欠陥の検出が可能となります。
この制御コイルからの、制御信号の位相を変化させることで、通常分離が出来にくかった疵信号とガタ信号(ノイズ信号)の位相差を任意に変化(図7右図)させることができます。
回転移相型コイルは、図8の構成となっています。
図 8

従来の渦流探傷器では、L1とL2の検出回路で構成されており、|L1-L2|のベクトル変化量
(図7左図のθ3)の情報でしかないので条件を変えない限りこの位相差は一定となり、このままではSN比は向上しません。
図 9

図9のコイル空心時の磁束本数をφa(この値は一定)とします。そのコイルに金属材料を挿入しますと、金属材
料の磁束本数がφbとなり内部空間磁束と金属材料内磁束の関係は、φa-φb:φbとなります。
この状態で疵部にきますと金属材料の体積が減るため金属材料内の磁束本数が減り金属材料内の磁束本数はφb-⊿φとなります。又、この⊿φが疵信号とガタ信号の位相差に相当します。
従って、この⊿φの値を変化させることで疵信号とガタ信号の位相差を任意に変化させることができます。これが回転移相の原理です。 又、磁束と電流の間には、φ=I/Tの関係から、電流Iを変化させれば磁束が変化します。又、図10のベクトル図において、RとVは同相であり、又、ωLとIが同相であることから電流Iを変化させることで疵信号とガタ信号の位相差θ3が変化します。
図 10

◆ 回 転 移 相 の 効 果
keywords#
SUS304、φ10㎜、深さ50μm
従来方式 回転移相方式


磁性材、コーナー部クラック疵、深さ20μm、長さ0.2㎜
従来方式 回転移相方式



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